外尔半金属的实验成果通过材料特性与理论预测的精确对应，证实了拓扑量子态的存在机制。

理论与实验的对应关系

理论物理学家曾基于数学拓扑和量子场论，提出外尔费米子的存在及其电磁特性。以下为关键预言与实验验证的对比：

验证过程的核心突破

1. 费米弧的首次观测
   理论预测外尔半金属表面存在不连续的费米弧。2015年，砷化钽（TaAs）通过角分辨光电子能谱（ARPES）直接观测到这一现象，其拓扑表面态与赫林1937年的晶体电子态理论一致。

2. 理想外尔态的合成
   日本团队基于2011年理论提出的拓扑半导体设计策略，成功合成仅含一对外尔费米子的半金属，排除无关电子态干扰，证实外尔节点的纯净性。

3. 输运行为的反常现象
   中国科大团队在NdAlSi中发现霍尔洛伦兹数异常增强，其机制与近藤散射相关。该现象无法用经典理论解释，但符合拓扑材料中自旋-电荷相互作用的复杂模型。

理论框架的扩展

早期拓扑理论（如方忠团队拓扑材料预测）为外尔态分类提供了数学基础。实验发现进一步揭示：

• 外尔节点的稳定性依赖晶体对称性，而非高能物理中的Lorentz对称性；
• 拓扑保护特性使材料具备抗干扰导电边界，为器件设计提供新方向。